Настольная модель mPG 101 лазерной безмасковой литографии производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установка предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др.
Лазерный генератор изображения Heidelberg mPG 101 является компактным бюджетным решением для лабораторий и мелкосерийных производств. Несмотря на свою компактность, установка справляется со всеми теми же задачами, что выполняют более крупные модели генераторов. Установка может использоваться для производства фотошаблонов, а также для получения топологических структур на прочих пластинах с фоторезистом или фотоэмульсией при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики, формирование структур на фотоэмульсии (ВРП-6).
Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акустооптического модулятора.
Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости есть специальная система позиционирования.
В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, 120 мВт. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена УФ диодным лазерным источником (375 нм, 70 мВт).
Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 5 микрон, 2,5 микрона и 0,9 микрон и 0,6 микрон (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.
Опции: оптический автофокус, режим вектороного экспонирования, базовый режим экспонирования в градации серого (3D экспонирование).
Сменные пишущие линзы (головы) на 0,6 мкм, 1,0 мкм, 2,5 мкм и 5,0 мкм.
Источники излучения: Диодный лазер — 405 нм, 120 мВт, 8000 часов, воздушное охлаждение (для тонких и стандартных резистов) или УФ-диодный лазер (по заказу) — 375 нм, 70 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение (для УФ-резистов).
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 6 х 6 дюймов;
Толщина подложки до 6 мм;
Точная фокусировка луча до 100 нм;
| Режим работы | I | II | III | IV |
| Размер адресной сетки, нм | 20 | 40 | 100 | 200 |
| Минимальный размер элемента, мкм | 0,6 | 1,0 | 2,5 | 5,0 |
| Скорость экспонирования (рисования), мм2/мин | 1 | 5 | 35 | 90 |
| Однородность ширины линии (3σ), нм | 150 | 200 | 400 | 800 |
| Неровность края (3σ), нм | 100 | 120 | 200 | 400 |
| Точность совмещения (3σ), нм | 200 | 200 | 400 | 800 |
| Область письма (экспонирования), мм2 | 50 x 50 | 100 x 100 | 125 x 125 | 125 x 125 |
Установка безмаскового совмещения и экспонирования модели MLA100 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
MLA100 предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологически размер 1,0 мкм.
Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.
Область экспонирования до 125 х 125 мм. или до Ø100 мм
Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут. (около 3 часов)
Скорость экспонирования 50 мм2/мин.
Растровое (бинарное) экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).
Установка безмаскового совмещения и экспонирования модели MLA100 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
MLA100 предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологически размер 1,0 мкм.
Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.
Область экспонирования до 125 х 125 мм. или до Ø100 мм
Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут. (около 3 часов)
Скорость экспонирования 50 мм2/мин.
Растровое (бинарное) экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).
Установки безмасковой лазерной литографии высокого разрешения (генератор изображения) модели DWL 2000 / DWL 4000 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Минимальый топологический размер 0,5 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,5 мкм, 0,7 мкм, 0,8 мкм, 1,3 мкм.
Скорость письма от 29 до 340 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов и 17 х 17 дюймов (для DWL 2000/DWL 4000)
Область экспонирования до 200 х 200 мм2 и 400 х 400 мм2 (для DWL 2000/DWL 4000)
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode), оптический автофокус в дополнение с пневматическому.
Установки безмасковой лазерной литографии высокого разрешения (генератор изображения) модели DWL 2000 / DWL 4000 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Минимальый топологический размер 0,5 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,5 мкм, 0,7 мкм, 0,8 мкм, 1,3 мкм.
Скорость письма от 29 до 340 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов и 17 х 17 дюймов (для DWL 2000/DWL 4000)
Область экспонирования до 200 х 200 мм2 и 400 х 400 мм2 (для DWL 2000/DWL 4000)
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode), оптический автофокус в дополнение с пневматическому.
Настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования модели µMLA производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
µMLA предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.
Установка μMLA представляет собой новое поколение настольных установок лазерной безмасковой литографии: позволяет точно подбирать режим экспонирования исходя из ваших задач, включает модуль растрового экспонирования с возможностью выбора пищущей линзы и разрешения, модуль векторного экспонирования или оба модуля одновременно в одной машине.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер до 0,6 мкм.
Максимальный размер шаблонов или пластин до 5 х 5 дюймов
Минимальный размер пластин: 5 х 5 мм
Область экспонирования до 150 х 150 мм
Точность совмещения (50x50 мм² [3σ, нм]) - 1000 нм.
Точность совмещения (5x5 мм² [3σ, нм]) - 500 нм.
Скорость экспонирования до 300 мм2/мин.
Растровое (бинарное) экспонирование, вектороное экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).
Настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования модели µMLA производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
µMLA предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.
Установка μMLA представляет собой новое поколение настольных установок лазерной безмасковой литографии: позволяет точно подбирать режим экспонирования исходя из ваших задач, включает модуль растрового экспонирования с возможностью выбора пищущей линзы и разрешения, модуль векторного экспонирования или оба модуля одновременно в одной машине.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер до 0,6 мкм.
Максимальный размер шаблонов или пластин до 5 х 5 дюймов
Минимальный размер пластин: 5 х 5 мм
Область экспонирования до 150 х 150 мм
Точность совмещения (50x50 мм² [3σ, нм]) - 1000 нм.
Точность совмещения (5x5 мм² [3σ, нм]) - 500 нм.
Скорость экспонирования до 300 мм2/мин.
Растровое (бинарное) экспонирование, вектороное экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
