Система AS-Micro производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 3 дюймов для использования в лабораториях. Версия с двумя камерами для перекрестного загрязнения (cross contamination).
Применение:
Быстрый термический отжиг (RTA),
Быстрое термическое окисление (RTO)
Послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1250°C
Загрузка: ручная
Система AS-Micro производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 3 дюймов для использования в лабораториях. Версия с двумя камерами для перекрестного загрязнения (cross contamination).
Применение:
Быстрый термический отжиг (RTA),
Быстрое термическое окисление (RTO)
Послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1250°C
Загрузка: ручная
Система AS-One производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов с холодными стенками в исполнении для пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм).
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная
Система AS-One производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов с холодными стенками в исполнении для пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм).
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная
Универсальная система AS-Master производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
RTCVD
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная (опция: загрузка из кассеты в кассету)
Универсальная система AS-Master производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
RTCVD
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная (опция: загрузка из кассеты в кассету)
Компактная система AS-Premium производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин размером до 8х8 дюймов (200 х 200 мм) с холодными стенками.
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
Диффузия
Селенизация (CIGS solar cell)
Отжиг полупроводников
Нитритизация, силицидирование
Кристализация и уплотнение
Температурный диапазон: от RT до 1300°C
Верхнее расположение ламп или двухсторонний отжиг с верхним и нижним расположением ламп
Загрузка: ручная (опционально - кассетная закгрузка, кластерная конфигурация)
Компактная система AS-Premium производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин размером до 8х8 дюймов (200 х 200 мм) с холодными стенками.
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
Диффузия
Селенизация (CIGS solar cell)
Отжиг полупроводников
Нитритизация, силицидирование
Кристализация и уплотнение
Температурный диапазон: от RT до 1300°C
Верхнее расположение ламп или двухсторонний отжиг с верхним и нижним расположением ламп
Загрузка: ручная (опционально - кассетная закгрузка, кластерная конфигурация)
Компактная система Zenith 100 и Zenith 150 производства ANNEALSYS (Франция) для высокотемпературных термических процессов (High Temperature RTP и CVD) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм) соотвестенно.
Применение:
Постимплантационный отжиг SiC
Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC
Получение графена CVD методом
Температурный диапазон: от 450°C до 2000°C
Пластины до 100 мм
Загрузка: ручная
Компактная система Zenith 100 и Zenith 150 производства ANNEALSYS (Франция) для высокотемпературных термических процессов (High Temperature RTP и CVD) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм) соотвестенно.
Применение:
Постимплантационный отжиг SiC
Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC
Получение графена CVD методом
Температурный диапазон: от 450°C до 2000°C
Пластины до 100 мм
Загрузка: ручная
Быстрая термическая обработка (Rapid thermal processing - RTP) относится к процессу обработки полупроводников, путем нагрева кремниевых или других полупроводниковых пластин до высоких температур (1250°C или выше) в течении нескольких секунд. Такая быстрая скорость нагрева достигается при использовании ИК ламп высокой интенсивности.
Быструю термическую обработку можно разделить на следующие категории:
- Быстрый тепловой обжиг (Rapid Thermal Anneal - RTA)
- Быстрое термическое окисление (Rapid Thermal Oxidation - RTO)
- Быстрое термическое азотирование (Rapid Thermal Nitridation - RTN)
- Быстрая термическая диффузия (Rapid Thermal Diffusion - RTD)
- Быстрое тепловое химическое осаждение паров (Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition - RTCVD)
Эти процессы используются для широкого спектра применений в производстве различных полупроводниковых приборов.
Одной из ключевых проблем быстрой термической обработки является точное измерение и контроль температуры пластин, т.к. от этого напрямую зависит их качество.
Процесс |
Система |
Implant annealing (постимплантационный отжиг) |
|
Implant annealing of silicon carbide (посимплантационный отжиг SiC) |
|
Thermal annealing of polymers (Термический отжиг полимеров) |
|
Oxidation (окисление) |
|
Silicon carbonization (карбонизация кремния) |
AS-Master HT version |
RTCVD of graphene (рост графена) |
|
Generation of graphene by sublimation (Сублимационный рост графена) |
|
RTCVD of graphene (рост графена) |
|
RTCVD of poly silicon, epitaxial silicon, SiO2, SiNx (RTCVD поилкремния, эпитаксиального кремния, SiO2, SiNx) |
AS-Master RTCVD version |