Универсальная установка для процессов DLI-CVD, DLI-ALD и MOCVD модели MC-100 и MC-200 производства ANNEALSYS (Франция) для исследований и НИОКР на подложках диаметром до 4-ех дюймов и 8-ми дюймов соответственно.
(DLI - Direct Liquid Injection)
Применение:
- DLI-CVD, DLI-ALD, MOCVD
- Металлы и сплавы, оксиды, нитриды,
- Углеродные нанатрубки и нанопровода…
- Полупроводники: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...
- Диэлектрики с высоким k: SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)
- Ферроэлектрики: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…
- Сверхпроводники: YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …
- Пьезоэлектрики: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, Модифицированный титанат свинца с колоссальным магнитным сопротивлением
- Металлы: Pt, Cu,...
- Термические покрытия
- Буфферные слои
- Механические покрытия
- Оптика
Установки MC-100 и MC-200 - установки с холодными стенками для проведения DLI-CVD, MOCVD процессов специально разработаны для удовлетворения требований заказчиков занимающихся разработками и исследованиями
MC-100 позволяют проводить процесс гетороэпитаксии оксидов на пластине монокристаллического кремния (такие как YBCO/LAO, STO/MgO, MxOy/LAO,…) с помощью MOCVD с использованием большого числа твердых, жидких металлоорганических прекурсоров с использованием технологии прямого впрыска жидкости (Direct Liquid Injection.)
Системы MC-100 и MC-200 модет быть снабжена разными аппаратами (системами) впрыска и вакуумным оборудованием в зависимости от применения.
CVD процессс с пульсирующим давлением
Максимальный размер образца |
до 4 дюймов и до 8 дюймов в диаметре. |
Температурный диапазон |
от комнатной (RT) до 850°C +/- 1°C (в зависимости от версии) |
Скорость нагрева |
до 200 0С/сек |
Газовая система и DLI система | Возможность смешивать процессные газы, Контроллеры массового расхода газа До 8 штук (MFC) До 4 инжекторов для подачи прекурсоров (DLI - Direct Liquid Injection) |
Вакуум | от атм. (н.у.) до 10-3 Торр |
Контроль температуры | измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур |
Управление | система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows |
Опции | Перчаточный бокс для загрузки (опция) |
Бюджетная установка для процессов DLI-CVD и MOCVD производства ANNEALSYS (Франция) для исследований и НИОКР на подложках диаметром до 2-ух дюймов. осаждение и отжиг можно производить в одной камере.
Применение:
DLI-CVD, CVD, MOCVD
быстрый термический отжиг (RTA),
быстрое термическое окисление (RTO)
In-situ отжиг и др.
Пластины до 2-ух дюймов
Максимальная температура: 1200°C
Загрузка: ручная
Бюджетная установка для процессов DLI-CVD и MOCVD производства ANNEALSYS (Франция) для исследований и НИОКР на подложках диаметром до 2-ух дюймов. осаждение и отжиг можно производить в одной камере.
Применение:
DLI-CVD, CVD, MOCVD
быстрый термический отжиг (RTA),
быстрое термическое окисление (RTO)
In-situ отжиг и др.
Пластины до 2-ух дюймов
Максимальная температура: 1200°C
Загрузка: ручная